北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司為您提供湖北高頻介電常數(shù)測(cè)試儀,。

湖北高頻介電常數(shù)測(cè)試儀  高頻q表能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的q值,，電感器的電感量和分布電容量,，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗,，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研-,、學(xué)校,、工廠等單位。
使用方法
高頻q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器,，為了提高測(cè)量精度,，除了使q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小,，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法,。
1．測(cè)試注意事項(xiàng)
a．本儀器應(yīng)水平安放,；
b．如果你需要較-地測(cè)量，請(qǐng)接通電源后,，預(yù)熱30分鐘,；
c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時(shí)，當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào),；
d．被測(cè)件和測(cè)試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,，足夠粗，并應(yīng)接觸-,、-,，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來(lái)的測(cè)量誤差；
e．被測(cè)件不要直接擱在面板頂部,，離頂部一公分以上,，-時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚-乙烯等做成的襯墊物襯墊；
f．手不得靠近試件,，以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差,，有屏蔽的試件，屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱,。
2．高頻線圈的q值測(cè)量基本測(cè)量法
電感：
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 q值 分布電容p 電感值
9 100khz 98 9.4 25mh
8 400khz 138 11.4 4.87mh
7 400khz 202 16 0.99mh
6 1mhz 196 13 252μh
5 2mhz 198 8.7 49.8μh
4 4.5mhz 231 7 10μh
3 12mhz 193 6.9 2.49μh
2 12mhz 229 6.4 0.508μh
1 25mhz,，50mhz 233，211 0.9 0.125μh
介質(zhì)損耗dielectric loss 指的是絕緣材料在電場(chǎng)作用下,，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,，簡(jiǎn)稱介損,。
介質(zhì)損耗因數(shù)dielectric loss factor指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。
頻率分段

(虛擬)
10～99.9999khz
100～999.999khz
1～9.99999mhz
10～60mhz
使用和保養(yǎng)
高頻q表是比較精密的阻抗測(cè)量?jī)x器,，在合理使用和注意保養(yǎng)情況下,，才能-長(zhǎng)期穩(wěn)定和較高的測(cè)試精度。
a．熟悉本說(shuō)明書,，正確地使用儀器,；
b．使儀器經(jīng)常保持清潔、干燥,；
c．本儀器保用期為18個(gè)月,，如發(fā)現(xiàn)機(jī)械故障或失去準(zhǔn)確度，可以原封送-廠，免費(fèi)修理,。
高分子材料的損耗
高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類,。一般地，偶極矩在0~0.5d德拜范圍內(nèi)的是非極性高聚物,；偶極矩在0.5d以上的是極性高聚物,。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2,，介質(zhì)損耗小于10-4,；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大,，這兩個(gè)值愈高,。
高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向，因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降,。酚醛樹脂就是典型的例子,，雖然這種高聚物的極性很強(qiáng)，但只要固化比較完全,，它的介質(zhì)損耗就不高,。相反，支化使分子鏈間作用力減弱,，分子鏈活動(dòng)能力增強(qiáng),，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。
高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對(duì)介電性景響也很大,。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化,，因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當(dāng)高聚物結(jié)晶度大于70%時(shí),，鏈段上的偶極的極化有時(shí)完全被抑制,，介電性能可降至-值，同樣的道理,，非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有-的介質(zhì)損耗,。此外，高聚物中的增塑利,、雜質(zhì)等對(duì)介電性能也有很大景響,。
技術(shù)參數(shù)：
1．q值測(cè)量
a．q值測(cè)量范圍：2～1023,。
b．q值量程分檔：30,、100、300,、1000,、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱誤差
頻率范圍100khz～10mhz： 頻率范圍10mhz～160mhz：
固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%
工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%
2．電感測(cè)量范圍：4.5nh~7.9mh
3．電容測(cè)量：1~205
主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pf
準(zhǔn)確度：150pf以下±1.5pf； 150pf以上±1%
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見后頁(yè)使用說(shuō)明
4. 信號(hào)源頻率覆蓋范圍
頻率范圍ch1:0.1～0.999999mhz, ch2: 1～9.99999mhz,
ch3:10～99.9999mhz, ch1 :100～160mhz,
5．q合格指示預(yù)置功能: 預(yù)置范圍：5～1000,。
6．b-測(cè)試儀正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃,；
b．相對(duì)濕度：<80％；
c．電源：220v±22v,，50hz±2.5hz,。
7．其他
a．消耗功率：約25w；
b．凈重：約7kg,；
c. 外型尺寸：l×b×hmm：380×132×280,。
玻璃的損耗
復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個(gè)部分：電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗,。哪一種損耗-勢(shì),，取決于外界因素溫度和電場(chǎng)頻率。高頻和高溫下,，電導(dǎo)損耗-勢(shì)：在高頻下,，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動(dòng)造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結(jié)構(gòu)損耗,，其損耗機(jī)理目前還不清楚,，可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來(lái)說(shuō),，簡(jiǎn)單玻璃的損耗是很小的,，這是因?yàn)楹?jiǎn)單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結(jié)構(gòu)緊密,，沒(méi)有弱聯(lián)系的松弛離子,。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加,，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大,。這是因?yàn)閴A性氧化物進(jìn)人玻璃的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)后，使離子所在處點(diǎn)陣受到破壞,，結(jié)構(gòu)變得松散,，離子活動(dòng)性增大，造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加,。
滿足標(biāo)準(zhǔn)：gbt1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻,、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法
a型高頻q表和c型高頻q表主要區(qū)別
  a c
測(cè)試頻率范圍 25khz～60mhz 100khz～160mhz
主調(diào)電容控制 傳感器 步進(jìn)馬達(dá)

電容搜索 無(wú) 有
工程材料：
離子晶體的損耗
離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān),。
緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則,，鍵強(qiáng)度比較大，如α-al2o3,、鎂橄欖石晶體等,，在外電場(chǎng)作用下很難發(fā)生離子松弛極化,，只有電子式和離子式的位移極化，所以無(wú)極化損耗,，僅有的一點(diǎn)損耗是由漏導(dǎo)引起的包括本質(zhì)電導(dǎo)和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導(dǎo),。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無(wú)關(guān)，損耗角正切隨頻率的升高而降低,。因此,，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場(chǎng)合。如剛玉瓷,、滑石瓷,、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等
結(jié)構(gòu)松散的離子晶體,，如莫來(lái)石3al2o3·2sio2,、董青石2mgo·2al2o3·5sio2等，其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變,，含有缺陷和較多的雜質(zhì),，離子的活動(dòng)范圍擴(kuò)大。在外電場(chǎng)作用下,，晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運(yùn)動(dòng),，產(chǎn)生電導(dǎo)打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來(lái)回運(yùn)動(dòng),，形成熱離子松弛,，出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大,，由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻,，只能應(yīng)用于低頻場(chǎng)合。
a/c高頻q表是北廣精儀儀器設(shè)備有限公司研制的產(chǎn)品,，它以dds數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號(hào)源,，頻率達(dá)60mhz/160mhz，信號(hào)源具有信號(hào)失真小,、頻率-,、信號(hào)幅度穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)，更-了測(cè)量精度的-性,。a主電容調(diào)節(jié)用傳感器感應(yīng),，電容讀數(shù)-,且頻率值可設(shè)置。c主電容調(diào)節(jié)用步進(jìn)馬達(dá)控制,，電容讀數(shù)-,頻率值和電容值均可設(shè)置,。a/c電容、電感,、q值,、頻率,、量程都用數(shù)字顯示,，在某一頻率下,，只要能找到諧振點(diǎn)，都能直接讀出電感,、電容值,，大大擴(kuò)展了電感的測(cè)量范圍，而不再是固定的幾個(gè)頻率下才能測(cè)出電感值的大小,。a/c特有的諧振點(diǎn)頻率自動(dòng)搜索或電容自動(dòng)搜索功能,，能幫助你在使用時(shí)快速地找到被測(cè)量器件的諧振點(diǎn)，自動(dòng)讀出q值和其它參數(shù),。q值量程可手動(dòng)或自動(dòng)轉(zhuǎn)換,。

宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗
工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此,，它通常包含有晶相,、玻璃相和氣相，各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計(jì)分布口,。由于各相的介電性不同,，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場(chǎng)分布不均勻，造成局部有較高的電場(chǎng)強(qiáng)度而引起了較高的損耗,。但作為電介質(zhì)整體來(lái)看,，整個(gè)電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗-的一相和損耗小的一相之間。
特點(diǎn)：
◆ 優(yōu)化的測(cè)試電路設(shè)計(jì)使殘值更小
◆ 高頻信號(hào)采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)
◆ led 數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù),，手動(dòng)/自動(dòng)量程切換
◆ 自動(dòng)掃描被測(cè)件諧振點(diǎn),，標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定，大大提高測(cè)試速度

服務(wù)
1．供方-體系嚴(yán)格按照iso9001標(biāo)準(zhǔn)之要求執(zhí)行
2．培訓(xùn)：可根據(jù)客戶要求在設(shè)備出廠前或設(shè)備到場(chǎng)后,，對(duì)需方的-進(jìn)行操作,、保養(yǎng)及設(shè)備維護(hù)進(jìn)行技術(shù)培訓(xùn)
3．服務(wù)：當(dāng)設(shè)備因或其他原因不能正常工作時(shí)，我公司在得到通知后24小時(shí)內(nèi)給予答復(fù),；需要現(xiàn)場(chǎng)維修時(shí),，我公司在得到通知后-派員維修、檢測(cè)
4．設(shè)備保修期為1年,。

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