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電池板-振鑫焱硅業(yè)-單晶電池板回收

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2019-11-24  
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電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:-回收硅片,,屋頂拆卸電池板回收,,電池片,初級多晶硅,,銀漿布,,單晶硅,,多晶硅,,太陽能電池,,光伏組件,太陽能電池板,,客戶撤退,,降級,庫存,,el,,-測試,二手,,舊,,工程,拆卸,,路燈,,拆解電站,拆卸,,膠合板,層壓板,,無邊界晶體硅,,多晶硅,,單晶硅,實驗板,,-償還,,返工,光伏模塊回收等,。


刻蝕工藝

刻蝕目的

將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈,,避免 pn 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。

刻蝕原理

采用干法刻蝕,。采用高頻輝光放電反應(yīng),, 采用高頻輝光放電反應(yīng),使反應(yīng)氣體-成活性粒子,,如原子或各種游離基,,這些活性粒子擴(kuò)散到硅片邊緣,在那里與硅進(jìn)行反應(yīng),,形成揮發(fā)性生成物四-硅而被去除,。

化學(xué)公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2

工藝流程

預(yù)抽,主抽,,送氣,,輝光,抽空,,清洗,,預(yù)抽,主抽   ,,電池板,,充氣。

影響因素

1. 射頻功率

射頻功率過高:等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷,,導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降,。在結(jié)區(qū)耗盡層造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加。

射頻功率太低:會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻,,從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足,,導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降。

2. 時間

刻蝕時間過長:刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大,,時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū),,從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合。

刻蝕時間過短:刻蝕不充分,,沒有把邊緣鱗去干凈,, pn 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。

4.   壓力

壓力越大,,氣體含量越少,,參與反應(yīng)的氣體也越多,,刻蝕也越充份。




156單晶硅太陽能電池片

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:-回收硅片,,電池片,,初級多晶硅,銀漿布,,單晶硅,,多晶硅,太陽能電池,,光伏組件,,太陽能電池板,客戶撤退,,降級,,庫存,el,,-測試,,二手,舊工程,,拆卸,,路燈,拆解電站,,拆卸,,膠合板,層壓板,,無邊界晶體硅,,多晶硅,單晶硅,,實驗板,,-償還,返工,,光伏模塊回收等,。

單晶硅太陽能電池片


太陽能電池片特性

光電轉(zhuǎn)換-,-性高,。

-的擴(kuò)散技術(shù),,-擴(kuò)散的均勻性。

-的 pecvd 成膜技術(shù),,給電池表面鍍上深藍(lán)色的氮化硅減反射膜,,顏色均勻美觀。

應(yīng)用-的金屬漿料制作背場和電極,--的導(dǎo)電性,、-的附著力和-的電極可焊性,。

-的絲網(wǎng)印刷和高平整度,使得電池易于自動焊接和激光切割,。

a--- 電池邊長 ;

b--- 正面主柵線背面電極中心間距;

c--- 正面主柵線背面電極中心到電池邊沿距離 ;

d--- 細(xì)柵線末端到電池邊沿距離;

e--- 正面主柵線寬度 ;

f--- 鋁背場邊到電池邊沿距離 ;

g--- 背電極寬度 ;

h--- 電池對角線長度 ;

i--- 背電極頂端到電池邊沿距離

單位: mn




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電池片生產(chǎn)工藝流程


一 ,、 制絨

a. 目的

在硅片的表面形成坑凹狀表面,,減少電池片的反射的太陽光,增加二次反射的面積。 一般情況下,,用堿處理是為了得到金字塔狀絨面,;用酸處理是為了得到蟲孔狀絨面。不管是哪種絨面,,都可以提高硅片的陷光作用,。

b.流程

1. 常規(guī)條件下,硅與單純的hf,、hno 3 硅表面會被鈍化,,二氧化硅與hno 3 不反應(yīng)認(rèn)為是不反應(yīng)的。但在兩種混合酸的體系中,,硅則可以與溶液進(jìn)行持續(xù)的反應(yīng) ,。

硅的氧化

-/亞-hno 2 將硅氧化成二氧化硅主要是亞-將硅氧化

si+4hno 3 =sio 2 +4no 2 +2h 2 o (慢反應(yīng)

3si+4hno 3 =3sio 2 +4no+2h 2 o (慢反應(yīng)

二氧-、一氧-與水反應(yīng),,生成亞-,,亞-很快地將硅氧化成二氧化硅 。

2no 2 +h 2 o=hno 2 +hno 3  (快反應(yīng)

si+4hno 2 =sio2+4no+2h 2 o (快反應(yīng)先一步的主反應(yīng)

4hno 3 +no+h 2 o=6hno 2 (快反應(yīng)

只要有少量的二氧-生成,,就會和水反應(yīng)變成亞-,,只要少量的一氧-生成,就會和-,、水反應(yīng)很快地生成亞-,,亞-會很快的將硅氧化,生成一氧-,,一氧-又與-,、水反應(yīng) , 這樣一系列化學(xué)反應(yīng)終的結(jié)果是造成硅的表面被快速氧化,,-被還原成氮氧化物,。

二氧化硅的溶解

sio 2 +4hf=sif 4 +2h 2 o(四-硅是氣體

sif 4 +2hf=h 2 sif 6

總反應(yīng)

sio 2 +6hf=h 2 sif 6 +2h 2 o

終反應(yīng)掉的硅以-的形式進(jìn)入溶液。






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