偵測(cè)到亮點(diǎn)之情況,；

會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺,；3.熱電子效應(yīng),；4閂鎖效應(yīng),； 5氧化層漏電；6多晶硅須,；7襯底損失,；8.物理?yè)p傷等。 偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況 不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置,；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路,；4.表面 反型層,；5.硅導(dǎo)電通路等。

點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置,，這種情 況可采用backside模式,，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及 拋光處理,。