假設(shè)電荷存儲(chǔ)在電極(加有10v電壓)下面的勢(shì)阱中,，如圖2(a)所示,，岱山縣ccd傳感器，加在ccd所有電極上的電壓,，通常都要保持在高于某一臨界值電壓vth，vth稱為ccd閾值電壓,，設(shè)vth=2v,。所以每個(gè)電極下面都有一定-的勢(shì)阱。顯然,，電極下面的勢(shì)阱深,，如果逐漸將電極的電壓由2v增加到10v，這時(shí),，,、兩個(gè)電極下面的勢(shì)阱具有同樣的-，并合并在一起，原先存儲(chǔ)在電極下面的電荷就要在兩個(gè)電極下面均勻分布,，(b)和(c)所示,，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2v，使其勢(shì)阱-降低,，(d)和(e)所示,，這時(shí)電荷全部轉(zhuǎn)移到電極下面的勢(shì)阱中，此過程就是電荷從電極到電極的轉(zhuǎn)移過程,。如果電極有許多個(gè),，可將其電極按照1、4,、7…,，2、5,、8…和3,、6、9…的順序分別連在一起,，加上一定時(shí)序的驅(qū)動(dòng)脈沖,，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過程。用3相時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的ccd稱為3相ccd,。

由于cmos傳感器的每個(gè)感光二極管都需搭配一個(gè)放大器,，而放大器屬于模擬電路，很難讓每個(gè)放大器所得到的結(jié)果保持一致,，因此與只有一個(gè)放大器放在芯片邊緣的ccd傳感器相比,，cmos傳感器的噪聲就會(huì)增加很多，影響圖像品質(zhì),。例如,，ccd傳感器報(bào)價(jià)，市面上cmos傳感器可達(dá)到210萬(wàn)象素的水平(omnivision的 ov2610,，ccd傳感器廠家,，2002年6月推出)，其尺寸為1/2英寸,，象素尺寸為4.25μm,，但在2002年12月推出了icx452，其尺寸與 ov2610相差不多(1/1.8英寸),，ccd傳感器多少錢,，但分辨率卻能-513萬(wàn)象素，象素尺寸也只有2.78μm的水平,。

由于數(shù)據(jù)傳送方式不同,，因此ccd與cmos傳感器在效能與應(yīng)用上也有諸多差異,，這些差異包括：由于cmos傳感器的每個(gè)象素由四個(gè)晶體管與一個(gè)感光二極管構(gòu)成(含放大器與a/d轉(zhuǎn)換電路)，使得每個(gè)象素的感光區(qū)域遠(yuǎn)小于象素本身的表面積,，因此在象素尺寸相同的情況下,，cmos傳感器的靈敏度要低于ccd傳感器。由于cmos傳感器采用一般半導(dǎo)體電路的cmos工藝,，可以輕易地將周邊電路(如agc,、cds、timing generator,、或dsp等)集成到傳感器芯片中,，因此可以節(jié)省-芯片的成本

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