氧化鋅zno晶體主要性能參數(shù)：透過范圍：0.4-0.6 um >; 50% at 2mm；晶向：<0001>;,、<11-20>;,、<10-10>;±0.5o 尺寸mm 25×25×0.5mm,、10×10×0.5mm,、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求,，定制特殊方向和尺寸的襯底,；表面粗糙度：surface roughness(ra):<=---可提供原子粒顯微鏡afm檢測報告拋光：單面或雙面；包裝：100 級潔凈袋,，氧化鋅晶體單晶襯底基片,，1000 級超凈室。
目前,，生長氧化鋅zno單晶體的方法有cvt,、助熔劑法、溶液法和水熱法,。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的zno晶體,，氧化鋅晶體襯底基片，這證明水熱法是一種生長高,、大尺寸zno單晶體的有效的方法,。氧化鋅zno晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。zno晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分，又有共價鍵的成分,，天津氧化鋅晶體,，兩種成分的含量差不多，因而使得zno晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強(qiáng),，導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變,。
氧化鋅zno是一致熔融化合物，氧化鋅晶體單晶,，熔點為1975℃,。由于高溫下氧化鋅zno的揮發(fā)性很強(qiáng)，傳統(tǒng)的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶,。目前，氧化鋅zno晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法,、水熱法和氣相生長法,。氧化鋅zno晶體主要性能參數(shù)：透過范圍：0.4-0.6 um >; 50% at 2mm；晶向：<0001>;,、<11-20>;,、<10-10>;±0.5o 尺寸mm 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm,、10×5×0.5mm,、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底,。
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