pcvd的工藝裝置由沉積室,、反應(yīng)物輸送系統(tǒng),、放電電源,、真空系統(tǒng)及檢測(cè)系統(tǒng)組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質(zhì),,經(jīng)調(diào)節(jié)裝置得到所需要的流量,再與源物質(zhì)同時(shí)被送進(jìn)沉積室,,在一定溫度和等離子體等條件下,,得到所需的產(chǎn)物,并沉積在工件或基片表面,。所以,,pcvd工藝既包括等離子體物理過程,真空鍍膜設(shè)備廠,,又包括等離子體化學(xué)反應(yīng)過程,。
1化學(xué)氣相沉積cvd反應(yīng)溫度一般在900~1200℃,中溫cvd例如mocvd金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積,,反應(yīng)溫度在500~800℃,。若通過氣相反應(yīng)的能量,還可把反應(yīng)溫度降低,。
“輔助”cvd的工藝較多,,主要有:
電子輔助cvdeacvd也稱為電子束輔助cvd,眼鏡鍍膜設(shè)備,電子增強(qiáng)cvd,,或電子束---cvd,,涂層的形成在電子作用下得到改進(jìn)。
激光輔助cvdlacvd),,也稱為激光cvd或光子輔助cvd,,鍍膜設(shè)備,涂層的形成在激光輻照作用下得到改進(jìn),。
熱絲cvd,,也稱為熱cvd,一根熱絲放在被鍍物件附近進(jìn)行沉積,。
金屬有機(jī)化合物cvdmocvd,,玻璃鍍膜設(shè)備,是在一種有機(jī)金屬化合物氣氛這種氣氛在室溫時(shí)是穩(wěn)定的,,但在高溫下分解中進(jìn)行沉積,。
借助一種惰性氣體的輝光放電使金屬或合金蒸汽離子化。離子鍍包括鍍膜材料如tin,,tic的受熱,、蒸發(fā)、沉積過程,。
蒸發(fā)的鍍膜材料原子在經(jīng)過輝光區(qū)時(shí),,一小部分發(fā)生電離,并在電場的作用下飛向工件,,以幾千電子伏的能量射到工件表面,,可以打入基體約幾納米的---,從而---提高了涂層的結(jié)合力,,而未經(jīng)電離的蒸發(fā)材料原子直接在工件上沉積成膜,。惰性氣體離子與鍍膜材料離子在工件表面上發(fā)生的濺射,還可以清除工件表面的污染物,,從而---結(jié)合力,。
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