225度大容量存儲器

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fram利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲,，鐵電晶體的結(jié)構(gòu)如圖1所示,。鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動,，flash芯片,，并達(dá)到一種穩(wěn)定狀態(tài);當(dāng)電場從晶體移走后，中心原子會保持在原來的位置,。這是由于晶體的中間層是一個高能階,，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置，因此fram保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓,，也不需要像dram一樣周期性刷新,。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關(guān),，所以fram存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響,，能夠同普通rom存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性,。

fram的特點是速度快,，能夠像ram一樣操作，讀寫功耗極低,，不存在如e2prom的寫入次數(shù)的問題,。但受鐵電晶體特性制約，fram仍有訪問(讀)次數(shù)的-,。

測井210度高溫存儲器

北京啟爾特石油科技新到一批145度,、150度,、175度,、210度,、225度高溫存儲器，美國原廠進(jìn)口,，耐高溫,，銷售200度flash芯片代理，性能穩(wěn)定,，各種容量都有,，適用于隨鉆儀器及其他石油測井勘探領(lǐng)域，經(jīng)營175度flash芯片代理,，感興趣的客戶,，歡迎來電咨詢！

動態(tài)隨機存取存儲器的缺點

動態(tài)隨機存取存儲器dram是以一個電晶體加上一個電容來儲存一個位1bit的資料,，由于傳統(tǒng) dram 的電容都是使用“氧化矽”做為絕緣體,，氧化矽的介電常數(shù)不夠大k 值不夠大，因此不容易吸引儲存電子與電洞,，造成必須-地補充電子與電洞,，供應(yīng)150度flash芯片代理，所以稱為“動態(tài)”,，只要電腦的電源關(guān)閉,，電容所儲存的電子與電洞就會流失，dram 所儲存的資料也就會流失,。

要解決這個問題,，簡單的就是使用介電常數(shù)夠大k 值夠大的材料來取代“氧化矽”為絕緣體，讓電子與電洞可以儲存在電容里不會流失,。目前業(yè)界使用“鈦鋯酸鉛”pzt或“鉭鉍酸-”sbt這種介電常數(shù)很大k 值很大的“鐵電材料”ferroelectric material來取代氧化矽,，則可以儲存電子與電洞不會流失，讓原本“揮發(fā)性”的動態(tài)隨機存取存儲器dram變成“非揮發(fā)性”的存儲器稱為“鐵電隨機存取存儲器”ferroelectric ram,，fram,。