振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：-回收硅片,，電池片，初級(jí)多晶硅,，銀漿布,，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池,，光伏組件,，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退,，降級(jí),，庫(kù)存，el,，-測(cè)試,，二手，舊,，工程,，拆卸，路燈,，拆解電站,，拆卸，膠合板,，層壓板,，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅,，單晶硅,，實(shí)驗(yàn)板，-償還,，返工，光伏模塊回收等,。

pecvd

pe 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜,，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射,，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用,。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡(jiǎn)單寫(xiě)成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,，利用輝光放電或另加-體使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體,，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 pecvd 方法區(qū)別于其它 cvd 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子,，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的-能,。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程,，生成活性-的各種化學(xué)基團(tuán),，因而-降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來(lái)需要在高溫下才能進(jìn)行的 cvd 過(guò)程得以在低溫下實(shí)現(xiàn),。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化 < 450 ℃ ,。

2. 節(jié)省能源，降低成本,。

3. 提高產(chǎn)能,。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

pe 設(shè)備有兩類：平板式和管式,。

按反應(yīng)方式分為：直接式島津和間接式 roth ＆ rau  ,。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體,。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極,。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外,，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中,。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) nh3 ，而 sih4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔,。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多,，這對(duì)-生產(chǎn)尤其重要。

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單晶硅太陽(yáng)能電池片

太陽(yáng)能電池片特性

光電轉(zhuǎn)換-，-性高,。

-的擴(kuò)散技術(shù),，-擴(kuò)散的均勻性。

-的 pecvd 成膜技術(shù),，給電池表面鍍上深藍(lán)色的氮化硅減反射膜,，顏色均勻美觀。

應(yīng)用-的金屬漿料制作背場(chǎng)和電極,，--的導(dǎo)電性,、-的附著力和-的電極可焊性。

-的絲網(wǎng)印刷和高平整度,，使得電池易于自動(dòng)焊接和激光切割,。

a--- 電池邊長(zhǎng) ;

b--- 正面主柵線背面電極中心間距;

c--- 正面主柵線背面電極中心到電池邊沿距離 ;

d--- 細(xì)柵線末端到電池邊沿距離;

e--- 正面主柵線寬度 ;

f--- 鋁背場(chǎng)邊到電池邊沿距離 ;

g--- 背電極寬度 ;

h--- 電池對(duì)角線長(zhǎng)度 ;

i--- 背電極頂端到電池邊沿距離

單位： mn