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刻蝕工藝

刻蝕目的

將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈,，避免 pn 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低,。

刻蝕原理

采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng),， 采用高頻輝光放電反應(yīng),，使反應(yīng)氣體-成活性粒子，如原子或各種游離基,，這些活性粒子擴散到硅片邊緣,，在那里與硅進行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物四-硅而被去除,。

化學(xué)公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2

工藝流程

預(yù)抽,，主抽，送氣,，輝光,，抽空，清洗,，預(yù)抽,，主抽   ,，充氣,。

影響因素

1. 射頻功率

射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降,。在結(jié)區(qū)耗盡層造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加,。

射頻功率太低：會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足,，導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降,。

2. 時間

刻蝕時間過長：刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大，時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū),，從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合,。

刻蝕時間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈,， pn 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低,。

4.   壓力

壓力越大，氣體含量越少,，參與反應(yīng)的氣體也越多,，刻蝕也越充份。

電池片的檢驗

一十三,、印刷圖型 

主柵線： 

-：主柵線容許有輕度斷開,、缺少、歪曲,、突顯,，斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%,，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況燒糊,、變黃 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱,，不容許有斷開，缺少,、歪曲及其突顯,。 

b級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm,，不容許有掉色狀況燒糊,、變黃 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，容許有斷開,，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%,，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況燒糊,、變黃 

c級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%,，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開,，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%,，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm,， 

副柵線： 

-：副柵線容許大小不勻稱,，存有總寬超過0.13mm，低于18mm的副柵線,，段柵線≤6條,，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印,、缺印,，總面積低于電級占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開,，斷掉總數(shù)≤3條,，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印,、粗點,；不容許有掉色狀況。 

b級：容許大小不勻稱,，存有總寬≤0.25mm的副柵線,，段柵線≤10條，斷開間距≤2mm,，容許有輕度虛印,、缺印,，總面積低于電級占地面積的10%.