當(dāng)考慮電子束蒸發(fā)技術(shù)時,，該方法涉及純粹的物理過程，其中目標(biāo)充當(dāng)包含待沉積材料的蒸發(fā)源,，該材料用作陰極,。請注意，系統(tǒng)會根據(jù)電子束功率蒸發(fā)任何材料,。通過在高真空下轟擊電子,，在高蒸氣壓下加熱材料，飾品真空鍍膜設(shè)備,，并釋放出顆粒,。然后，硅膠真空鍍膜設(shè)備,，在原子尺寸釋放的粒子和氣體分子之間發(fā)生沖突,，該粒子插入反應(yīng)器中，旨在通過產(chǎn)生等離子體來加速粒子,。該等離子體穿過沉積室,，在反應(yīng)器的中間位置-。連續(xù)壓縮層被沉積,，從而增加了沉積膜對基底的粘附力

cvd 制備銥高溫涂層人們之所以對作涂層材料感興趣是由于這類金屬優(yōu)良的性能 ,。銥具有較強(qiáng)的能力和較高的熔點而受到重視， 是一種較理想的高溫涂層材料 ,。

20 世紀(jì) 60 年代以來,， 航空航天技術(shù)飛速發(fā)展,，新北真空鍍膜設(shè)備，一些高熔點材料(如石墨碳和鎢鉬鉭鈮等難熔金屬)被大量使用,，但這些材料的一個共同的致命缺點是能力差,。

60 年代美國材料實驗室(afml)對石墨碳的銥保護(hù)涂層進(jìn)行過大量的研究，玻璃真空鍍膜設(shè)備,， 采用了多種成型方法制備銥涂層 ,，其中包括化學(xué)氣相沉積法 。雖然沒有制備出令人滿意的厚銥涂層,， 但仍認(rèn)為 cvd 是一種非常有希望且值得進(jìn)一步研究的方法,。