一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角,，再用環(huán)氧塑封料封裝而成,。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，福州灌漿料-硅微粉,，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好,。單晶硅的熔點為1415℃，膨脹系數(shù)為3.5ppm,，熔融石英粉的為(0.3～0.5)ppm,，環(huán)氧樹脂的為(30～50)ppm，當熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹脂中制成塑封料時,，灌漿料-硅微粉報價,，其熱膨脹系數(shù)可調到8ppm左右，加得越多就越接近單晶硅片的,，也就越好,。而結晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數(shù)為60ppm，結晶石英的熔點為1996℃,，灌漿料-硅微粉,，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成電路中不用球形粉時,，也要用熔融的角形硅微粉,。這也是球形粉想用結晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行,，走不通,；10年前，包括現(xiàn)在我國還有人走這條路,，從以上理論證明此種方法是不行的,。即塑封料粉不能用結晶粉取代,。

由于硅微粉顆粒細小，純度高,，在制玻生產中易熔化,、時間短，制品如硼硅儀器玻璃,、鈉征儀器玻璃,、中性器皿等產品的理化性能和外觀均達到相應標準，與此同時,，生產中節(jié)能效果--,。

再則，依據硅微粉具有粒度細且均勻,，灌漿料-硅微粉價格,，比表面積大的特點，用于玻纖直接拉絲新工藝,，大大的提高了玻纖配合料的均化程度和加快爐內的�,；�速度。拉絲的穩(wěn)定性優(yōu)于玻璃球拉絲工藝,，且具有-的節(jié)能和降低生產成本效果,。作為節(jié)能礦物原料，硅微粉應用于陶瓷行業(yè)中,，對于降成溫度和提高成品率等亦收到理想效果,。