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影響因素

1 ．頻率

射頻 pecvd 系統(tǒng)大都采用 50khz~13.56 mhz 的工業(yè)頻段射頻電源,。較高頻率 >;4mhz 沉積的氮化硅薄膜具有-的鈍化效果和穩(wěn)定性,。

2 ．射頻功率

增加 rf 功率通常會--- sin 膜的。但是,，功率密度不宜過大，超過 1w/cm2 時器件會造成---的射頻損傷,。

3 ．襯底溫度

pecvd 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ ,。這樣能-氮化硅薄膜在hf 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力,，從而有-的熱穩(wěn)定性和抗裂能力,。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應力很大且為張應力,，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂,。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 sih4 。為了防止富硅膜,，選擇nh3/sih4=2~20 體積比,。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區(qū)下游反應氣體因耗盡而降低沉積速率,，通常采用較大的氣體總流量,，以-沉積的均勻性。

5 ．反應氣體濃度

sih4 的百分比濃度及 sih4/nh3 流量比,，對沉積速率,、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ,，而 pecvd 沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化,，但多為富硅膜，可寫成 sin ,。因此,，必須控制氣體中的 sih4 濃度，不宜過高,，并采用較高的 sin 比,。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子,，即 sixnyhz 或 sinx :h ,。

6 ．反應壓力、和反應室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù),。