說(shuō)起igbt，半導(dǎo)體制造的人都以為不就是一個(gè)分立器件(powerdisceret)嘛,，都很瞧不上眼,。然而他和28nm/16nm集成電路制造一樣，是“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目,，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里技術(shù)的產(chǎn)品,，已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的powermosfet，其應(yīng)用非常廣泛,，小到家電,、大到飛機(jī)、艦船,、交通,、電網(wǎng)等-產(chǎn)業(yè)，被稱為電力電子行業(yè)里的“cpu”，長(zhǎng)期以來(lái),，該產(chǎn)品包括芯片還是被壟斷在少數(shù)idm手上(fairchild,、infineon、toshiba),，位居“十二五”期間16個(gè)重大技術(shù)突破專項(xiàng)中的第二位簡(jiǎn)稱“02專項(xiàng)”,。

1、何為igbt,？

所謂igbt(絕緣柵雙極型晶體管,，是由bjt(雙極結(jié)型晶體三極管)和mos(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件，其具有自關(guān)斷的特征,。

簡(jiǎn)單講,，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，igbt沒(méi)有放大電壓的功能,，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。igbt融合了bjt和mosfet的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等,。

而平時(shí)我們?cè)趯?shí)際中使用的igbt模塊是由igbt與fwd續(xù)流二極管芯片通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能,、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

igbt測(cè)試方法

igbt是通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制的開(kāi)關(guān)晶體管,，來(lái)料選型晶體管圖示儀,，廣泛用于變頻器中作為直流逆變成交流的電力電子元件。igbt管的結(jié)構(gòu)和工作原理與場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常稱為mosfet管相似,。igbt管的符號(hào)如圖2所示,。g為柵極，c為集電極,，e為發(fā)射極,。

igbt的主要參數(shù)

1集電極-發(fā)射極額定電壓uces是igbt在截止?fàn)顟B(tài)下集電極與發(fā)射極之間能夠承受的電壓，一般uces小于或等于器件的雪崩擊穿電壓,。

2柵極-發(fā)射極額定電壓uge是igbt柵極與發(fā)射極之間允許施加的電壓，通常為20v,。柵極的電壓信號(hào)控制igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷,，其電壓不可超過(guò)uge。

3集電極額定電流ic是igbt在飽和導(dǎo)通狀態(tài)下,，允許持續(xù)通過(guò)的電流,。

4集電極-發(fā)射極飽和電壓uce是igbt在飽和導(dǎo)通狀態(tài)下，集電極與發(fā)射極之間的電壓降。該值越小,，則管子的功率損耗越小,。

5開(kāi)關(guān)頻率在igbt的使用說(shuō)明書中，開(kāi)關(guān)頻率是以開(kāi)通時(shí)間ton,、下降時(shí)間t1和關(guān)斷時(shí)間toff給出的,，根據(jù)這些參數(shù)可估算出igbt的開(kāi)關(guān)頻率，一般可達(dá)30～40khz,。在變頻器中,，實(shí)際使用的載波頻率大多在15khz以下。

igbt與mosfet的對(duì)比