一、能直接帶動(dòng)繼電器工作的cmos集成塊電路
在電子-認(rèn)識(shí)電路知識(shí)的的習(xí)慣中，總認(rèn)為cmos集成塊本身不能直接帶動(dòng)繼電器工作,，但實(shí)際上，部分cmos集成塊不僅能直接帶動(dòng)繼電器工作,，而且工作還非常穩(wěn)定-,。
本實(shí)驗(yàn)中所用繼電器的型號(hào)為jrc5m－dc12v微型密封的繼電器其線圈電阻為750ω。現(xiàn)將cd4066?cmos集成塊帶動(dòng)繼電器的工作原理分析如下：
cd4066是一個(gè)四雙向模擬開(kāi)關(guān),，集成塊scr1～scr4為控制端,，用于控制四雙向模擬開(kāi)關(guān)的通斷。當(dāng)scr1接高電平時(shí),，集成塊,、腳導(dǎo)通，交流固態(tài)繼電器模組代理供應(yīng)商，＋12v***k1***集成塊,、腳***電源負(fù)極使k1吸合,；反之當(dāng)scr1輸入低電平時(shí)，集成塊,、腳開(kāi)路,，k1失電釋放，scr2～scr4輸入高電平或低電平時(shí)狀態(tài)與scr1相同,。
本電路中,，繼電器線圈的兩端均反相并聯(lián)了一只二極管，它是用來(lái)保護(hù)集成電路本身的,，千萬(wàn)不可省去,，否則在繼電器由吸合狀態(tài)轉(zhuǎn)為釋放時(shí)，由于電感的作用線圈-產(chǎn)生較高的反電動(dòng)勢(shì),，極容易導(dǎo)致集成塊擊穿,。并聯(lián)了二極管后，連云港繼電器,，在繼電器由吸合變?yōu)獒尫诺乃查g,，線圈將通過(guò)二極管形成短時(shí)間的續(xù)流回路，使線圈中的電流不致突變,，從而避免了線圈中反電動(dòng)勢(shì)的產(chǎn)生,，-了集成塊的安全。
通-繼電器模塊將在今后繼續(xù)增長(zhǎng),，占到全球繼電器市場(chǎng)的1/4,。高頻繼電器模塊是其發(fā)展的主要方向，在電信領(lǐng)域,、無(wú)線通信,、寬帶輸送接入等需求的推動(dòng)下，已成為機(jī)電式繼電器模塊更新?lián)Q代的新平臺(tái)和下一代通信技術(shù)加速完善的助推器,。
體積更小,，適用于表面裝貼，高-,，抗干擾-良的通信繼電器模塊需求旺盛,；未來(lái)4g發(fā)展所需用的-新型通信繼電器模塊將成為其發(fā)展主流。
-通信繼電器模塊技術(shù)已日漸成熟,，第三代移動(dòng)通信的展開(kāi),，為其提供-的市場(chǎng)前景。
固態(tài)繼電器ssr占全球繼電器模塊市場(chǎng)的15%,，且還在-增長(zhǎng),，勢(shì)頭不減,，預(yù)計(jì)今后幾年將達(dá)20%以上。小型化,、低成本化是其普遍應(yīng)用需-的方向,，而封裝工藝的改進(jìn)，是提高其環(huán)境適應(yīng)性和高-性能的主攻方向,。
光繼電器模塊/微電子繼電器模塊是電子產(chǎn)品向數(shù)字化,、自動(dòng)化、-型化方向發(fā)展所必需的,。光繼電器模塊/微電子繼電器模塊由于其泄露率小,、隔離性能好、輸出特性穩(wěn)定優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn),，其應(yīng)用領(lǐng)域在不斷擴(kuò)大,。適用于“物聯(lián)網(wǎng)”的光繼電器模塊由于其高靈敏性、高-性而成為優(yōu)選產(chǎn)品,，將會(huì)是下一代繼電器模塊發(fā)展的重要方向,。
機(jī)電-固態(tài)組合式繼電器模塊，是兼有兩者優(yōu)點(diǎn),，而避其不足的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合型產(chǎn)品,，在某些應(yīng)用領(lǐng)域成為器件大量使用，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的技術(shù)特性成為今后一個(gè)時(shí)期的發(fā)展趨勢(shì),。
表面貼裝繼電器模塊由于適應(yīng)了-,、高精細(xì)生產(chǎn)的需要而被廣泛推廣。無(wú)鉛化繼電器模塊由于適應(yīng)了要求而成為繼電器模塊制造技術(shù)和工藝的發(fā)展方向,。
這種簡(jiǎn)單的電路在光學(xué)耦合直流電壓信號(hào)方面提供了優(yōu)于1%的精度。為了補(bǔ)償光隔離器的非線性,，在反饋回路中連接了一個(gè)相同的設(shè)備,。為了進(jìn)一步提高穩(wěn)定性，兩個(gè)光隔離器均位于同一ic內(nèi)部,。輸入和輸出電路均使用單電源供電一個(gè)用于輸入端,，另一個(gè)用于輸出端。現(xiàn)有技術(shù)通常需要正電源和負(fù)電源-消除負(fù)電源可簡(jiǎn)化電路,。
所有這些產(chǎn)品都是-光半導(dǎo)體產(chǎn)品,，大多數(shù)價(jià)格都還很有優(yōu)勢(shì)。而且,，所有組件均采用dip-6封裝,，因此可以輕松地將它們插入原型板。所有的ctr電流傳輸率范圍從50％到大約500％,。使這項(xiàng)工作起作用的原因是,，同一ic內(nèi)的兩個(gè)設(shè)備的-率可能會(huì)有所匹配。所有這些設(shè)備不一定都是可互換的，因?yàn)橐鼍�會(huì)有所不同–我在嘗試使電路正常工作時(shí)發(fā)現(xiàn)了這一困難的方法,。如果不使用的設(shè)備,，請(qǐng)檢查設(shè)備數(shù)據(jù)表。
盡管dip光耦合器具有-5kv的隔離能力,，交流固態(tài)繼電器模組可選,，但該電路不能支持約100v以上的電壓，因?yàn)槠渲幸粋�(gè)輸出被反饋到輸入放大器,，這將電壓隔離置于設(shè)備上相鄰引腳之間,，而不是跨設(shè)備。為了維持較高的額定電壓,，請(qǐng)使用兩個(gè)單個(gè)設(shè)備并在一定程度上匹配ctr,。
正信號(hào)輸入會(huì)導(dǎo)致u1的輸出正移。這導(dǎo)致兩個(gè)led都導(dǎo)通,。 u3-b接通并提供正向反饋信號(hào),。當(dāng)兩個(gè)運(yùn)放輸入相等時(shí)，可控硅模塊可加工廠家在哪里,，u1的輸出停止積分,。同時(shí)，u3a的輸出向u2發(fā)出正向信號(hào),。調(diào)整r2以使r1 + r24.7k可使u2的輸出接近輸入電壓信號(hào)–進(jìn)一步調(diào)整r2會(huì)針對(duì)ctr的差異進(jìn)行調(diào)整,，以使輸出電壓與輸入電壓完全匹配。測(cè)試性能的方法是在輸入和輸出之間連接dvm,。電位器r4適應(yīng)ctr兩個(gè)設(shè)備的總體變化,。調(diào)節(jié)r4使其在信號(hào)電平下下降約2v，這不是非常關(guān)鍵的,。
在0-5v的輸入范圍內(nèi),，我能夠獲得大約±10mv的線性度，不太簡(jiǎn)單的電路,�,？傆�(jì)約為±0.2%。我沒(méi)有在溫度范圍內(nèi)對(duì)其進(jìn)行測(cè)試,，但是期望它在1%左右,。此外，的輸入電壓范圍是可能的,，-是在更高的vcc的情況下,。
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