軟開(kāi)關(guān)dc/dc轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)管，在開(kāi)通或關(guān)斷過(guò)程中,，或是加于 其上的電壓為零,，即零電壓開(kāi)關(guān)zero-voltage-switching，zvs,，或是通過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流為零,，即零電流開(kāi)關(guān)zero-current·switching，zcs,。這種軟開(kāi)關(guān)方式可以顯著地減小開(kāi)關(guān)損耗,，以及開(kāi)關(guān)過(guò)程中激起的振蕩，使開(kāi)關(guān)頻率可以大幅度提高,，為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造 了條件,。功率場(chǎng)效應(yīng)管mosfet是應(yīng)用較多的開(kāi)關(guān)器件，它有較高的開(kāi)關(guān)速度,，但同時(shí)也有較大的寄生電容,。它關(guān)斷時(shí)，在外電壓的作用下,， 其寄生電容充滿(mǎn)電，如果在其開(kāi)通前不將這一部分電荷放掉,，則將消耗于器件內(nèi)部,，這就是容性開(kāi)通損耗,。為了減小或消除這種損耗，功率場(chǎng) 效應(yīng)管宜采用零電壓開(kāi)通方式zvs,。

期望大家在選購(gòu)電源模塊時(shí)多一份細(xì)心,，少一份浮躁，定做開(kāi)關(guān)電源,，不要錯(cuò)過(guò)細(xì)節(jié)疑問(wèn),。想要了解更多電源模塊的，歡迎撥打圖片上的熱線電話�,。,。�

ott關(guān)于不同模式電磁干擾水平的公式(2)示意了回路面積對(duì)電路電磁干擾水平產(chǎn)生的直接線性影響,。e=263×10-16(f2ai)(1/r) (2)輻射場(chǎng)正比于下列參數(shù)：涉及的諧波頻率(f,，單位hz)、回路面積(a,，單位m2),、電流(i)和測(cè)量距離(r，單位m),。此概念可以推廣到所有利用梯形波形進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的場(chǎng)合,，不過(guò)本文僅討論電源設(shè)計(jì)。參考圖4中的交流模型,，研究其回路電流流動(dòng)情況：起點(diǎn)為輸入電容器,，然后在q1導(dǎo)通期間流向q1，再通過(guò)l1進(jìn)入輸出電容器,，后返回輸入電容器中,。當(dāng)q1關(guān)斷、q2導(dǎo)通時(shí),，就形成了第二個(gè)回路,。之后存儲(chǔ)在l1內(nèi)的能量流經(jīng)輸出電容器和q2，如圖5所示,。這些回路面積控制對(duì)于降低電磁干擾是很重要的,，開(kāi)關(guān)電源，在pcb走線布線時(shí)就要預(yù)先考慮清器件的布局問(wèn)題,。當(dāng)然,，回路面積能做到多小也是有實(shí)際-的。

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