高壓瓷片電容燒壞的原因介紹
一:潮濕對(duì)電參數(shù)惡化的影響,。空氣中溫度過(guò)高,, 會(huì)使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降,, 對(duì)于半密封結(jié)構(gòu)電容器來(lái)說(shuō),,水分會(huì)滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此,,高溫,,高濕環(huán)境對(duì)瓷片電容的損壞影響較大。
二:銀離子的遷移,。無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器多半采用銀電極,,半密封電容器在高溫條件下工作,滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解,。產(chǎn)生氧化反應(yīng),,銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電極反應(yīng),,銀離子遷移不僅發(fā)生在無(wú)機(jī)介質(zhì)表面,,還擴(kuò)散到無(wú)機(jī)介質(zhì)內(nèi)部,,引起漏電流增大,---時(shí)會(huì)使兩個(gè)銀電極之間完全短路,,導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿,。
三:有的高壓瓷片電容,在運(yùn)用測(cè)試操作時(shí),,插件瓷片電容器廠家,,電容器投入時(shí)的電流過(guò)大,無(wú)任何無(wú)電壓保護(hù)措施,,也無(wú)串聯(lián)電抗器,使電容器過(guò)熱,,絕緣降低或損壞,,如果操作頻繁,也會(huì)影響陶瓷電容損壞,,甚至炸掉,。
四:從單顆瓷片電容分析,電容碰到了---的電流,,導(dǎo)致內(nèi)部材料-,,散熱不及時(shí),造成熱擊穿損壞,。
同方迪一分享瓷片電容參數(shù)識(shí)別的方法
電容的標(biāo)稱及識(shí)別方法:
1.直標(biāo)法:如果數(shù)字是0.001,,那它代表的是0.001uf=1nf,如果是10n,,那么就是10nf,,同樣100p就是100pf。
2.不標(biāo)單位的直接表示法:用1~4位數(shù)字表示,,陶瓷瓷片電容器廠家,,容量單位為pf,如350為350pf,,3為3pf,,0.5為0.5pf。
3.色碼表示法:沿電容引線方向,,用不同的顏色表示不同的數(shù)字,,一,二種環(huán)表示電容量,,魯穎瓷片電容器廠家,,第三種顏色表示有效數(shù)字后零的個(gè)數(shù)單位為pf顏色意義:黑=0、棕=1,、紅=2,、橙=3,、黃=4、綠=5,、藍(lán)=6,、紫=7、灰=8,、白=9,。瓷片電容器有高壓瓷片和普通瓷片電容器,普通瓷片電容器耐壓過(guò)去標(biāo)準(zhǔn)是50v,,高壓瓷片電容器有幾百伏的,,有幾千伏的,一般在容值下面標(biāo)出xxkv,。
同方迪一分享瓷片電容的讀數(shù)方法
瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同,,分色標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法和直標(biāo)法3種,。瓷片電容的基本單位用法拉f表示,,其它單位還有:毫法mf、微法μf,、納法nf,、皮法pf。其中:1法拉=1000毫法mf,,1毫法=1000微法μf,,武漢瓷片電容器廠家,1微法=1000納法nf,,1納法=1000皮法pf,。
容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標(biāo)明,如10μf/16v;
容量小的瓷片電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示;
字母表示法:2m=2000μf,,1p2=1.2pf,,2n=2000pf;
數(shù)字表示法:三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字,,第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù),,它們的單位都是pf。
例如:102表示標(biāo)稱容量為1000pf,。
211表示標(biāo)稱容量為210pf,。
214表示標(biāo)稱容量為21x104pf。
在這種表示法中有一個(gè)特殊情況,,就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用“9”表示時(shí),,是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來(lái)表示容量大小。例如:219表示標(biāo)稱容量為21x10-1pf=2.2pf。
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