同方迪一講述瓷片電容技術(shù)參數(shù)的發(fā)展歷程

1900年意大利l.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容 ,；

30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)-增長(zhǎng),，因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容 ；

1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的瓷片電容技術(shù)參數(shù) 的主要原材料batio3(鈦酸鋇)具有絕緣性后,，開始將瓷片電容技術(shù)參數(shù)使用于對(duì)既小型,、精度要求又-的-用電子設(shè)備當(dāng)中。

1960年左右陶瓷疊片電容 作為商品開始開發(fā),。

1970年,，隨著混合ic、計(jì)算機(jī),、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來,，瓷片電容成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件，而其中技術(shù)參數(shù)也是學(xué)者們研究的重點(diǎn),。

現(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容的全部數(shù)量約占電容 市場(chǎng)的70%左右,。

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對(duì)電參數(shù)惡化的影響,�,？諝庵袦囟冗^高， 會(huì)使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降,， 對(duì)于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說,，水分會(huì)滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此,，高溫,，高濕環(huán)境對(duì)瓷片電容的損壞影響較大。

二:銀離子的遷移,。無機(jī)介質(zhì)電容器多半采用銀電極,，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。產(chǎn)生氧化反應(yīng),，銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀,。由于電極反應(yīng)，銀離子遷移不僅發(fā)生在無機(jī)介質(zhì)表面,，還擴(kuò)散到無機(jī)介質(zhì)內(nèi)部,，引起漏電流增大，插件瓷片電容器供應(yīng),，-時(shí)會(huì)使兩個(gè)銀電極之間完全短路,，湖北瓷片電容器供應(yīng)，導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿,。

三:有的高壓瓷片電容,，在運(yùn)用測(cè)試操作時(shí)，電容器投入時(shí)的電流過大,，無任何無電壓保護(hù)措施,，也無串聯(lián)電抗器，陶瓷瓷片電容器供應(yīng),，使電容器過熱,，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁,，也會(huì)影響陶瓷電容損壞,，甚至炸掉。

四:從單顆瓷片電容分析,，電容碰到了-的電流,，導(dǎo)致內(nèi)部材料-，散熱不及時(shí),，造成熱擊穿損壞,。