同方迪一解析瓷片電容的esr
電源的設(shè)計(jì)是決定了整個系統(tǒng)的性能和成本,,很多時候大家都會忽略這個點(diǎn),。本文小編跟大家淺談瓷片的esr,。電容的參數(shù)是有很多的,,在設(shè)計(jì)中c和esr是很重要的,,
c代表:電容容值,。一般是指在1khz,,1v 等效ac電壓,,直流偏壓為0v情況下測到的,也可有很多電容測量的環(huán)境不同,。但有一點(diǎn)需注意,,電容值c本身是會隨環(huán)境發(fā)生改變的。
esr指的是電容等效串聯(lián)電阻,。無論哪種電容都會有一個等效串聯(lián)電阻,,當(dāng)電容工作在諧振點(diǎn)頻率時,電容的容抗和感抗大小相等,,于是等效成一個電阻,,這個電阻就是esr。因電容結(jié)構(gòu)不同而有很大差異,。鋁電解電容esr一般由幾百毫歐到幾歐,,瓷片電容一般為幾十毫歐,鉭電容介于鋁電解電容和瓷片電容之間,。
瓷片電容存放電靠的是物理反應(yīng),,因而具有---的響應(yīng)速度,可以應(yīng)用到上g的場合,。不過,,瓷片電容因?yàn)榻橘|(zhì)不同,,也呈現(xiàn)很大的差異。性能c0g材質(zhì)的電容,,清遠(yuǎn)瓷介電容10kv,,溫度系數(shù)小,不過材質(zhì)介電常數(shù)小,,所以一般來說容值不可能做太大,。性能z5u/y5v材質(zhì),這種材質(zhì)介電常數(shù)大,,容值能做到幾十微法,。瓷片電容可以用作退耦電容,壓瓷介電容10kv,,退耦電容需要滿足兩個要求,,一個是容量需求,另一個是esr需求,。
同方迪一帶你了解高壓陶瓷電容的失效和擊穿
無論在雨季潮濕天氣還是陽光天氣下,,存儲陶瓷電容器是有要求的。因?yàn)榭諝庵袧穸冗^高時,,水膜凝聚在電容器外殼表面,,可使電容器的表面絕緣電阻下降。此外,,對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說,,水分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部,使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降,。因此,,高溫、高濕環(huán)境對陶瓷電容器參數(shù)惡化的影響為,。
陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時,,發(fā)生擊穿失效是比較普遍的---問題。所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面間飛弧擊穿兩類,。介質(zhì)擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種,,早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的問題,這些問題導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)介電強(qiáng)度降低,,以于在高濕度環(huán)境的電場作用下,,電容器在耐壓試驗(yàn)過程中或工作初期,就產(chǎn)生電穿,。
失效和電穿是我們在日常中需要注意的問題,,有任何電容器上的疑問要咨詢正規(guī)廠家。東莞市智旭電子安規(guī)電容廠家,,已經(jīng)通過iso9001:2015管理體系,;安規(guī)電容器x電容及y 電容,,壓敏電阻器通過各國,陶瓷電容器,,薄膜電容器均符合指標(biāo),。
同方迪一講述瓷片電容技術(shù)參數(shù)的發(fā)展歷程
1900年意大利l.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容 ;
30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)---增長,,因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容 ,;
1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的瓷片電容技術(shù)參數(shù) 的主要原材料batio3(鈦酸鋇)具有絕緣性后,壓瓷介電容10kv,,開始將瓷片電容技術(shù)參數(shù)使用于對既小型,、精度要求又---的-用電子設(shè)備當(dāng)中。
1960年左右陶瓷疊片電容 作為商品開始開發(fā),。
1970年,,隨著混合ic、計(jì)算機(jī),、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來,,瓷片電容成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件,而其中技術(shù)參數(shù)也是學(xué)者們研究的重點(diǎn),。
現(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容的全部數(shù)量約占電容 市場的70%左右,。
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