切割,、研磨、拋光容易忽視的操作環(huán)節(jié)要注意了研磨拋光,，切割前應(yīng)對其定向，確定切割面,，切割時首先將鋸片固定好,，被切晶體材料固定好，切割速度選擇好,，切割時不能不用切割液,，它不僅能沖洗鋸片，而且還能減少由于切割-對晶體表面產(chǎn)生的損害,，切割液還能沖刷切割區(qū)的晶體碎渣,。切割下來的晶片，要進入下一道工序研磨,。首先要用測厚儀分類測量晶片的厚度進行分組,，將厚度相近的晶片對稱粘在載料塊上。粘接前,，要對晶片的周邊進行倒角處理,。粘片時載料塊溫度不易太高，只要固定臘溶化即可,，晶片擺放在載料塊的外圈,，粘片要對稱，而且要把晶片下面的空氣排凈用鐵塊壓實,。防止產(chǎn)生載料塊不轉(zhuǎn)和氣泡引發(fā)的碎片的現(xiàn)象,。在研磨過程中適時測量減薄的厚度，直到工藝要求的公差尺寸為止,。使用研磨拋光機前要將設(shè)備清洗干凈,，同時為---磨盤的平整度，每次使用前都要進行研盤,，研盤時將修整環(huán)和磨盤自磨,，選用研磨液要與研磨晶片的研磨液相同的磨料進行，每次修盤時間10分鐘左右即可,。只有這樣才能---在研磨時晶片表面不受損傷,，達到理想的研磨效果。拋光前要檢查拋光布是否干凈,，拋光布是否粘的平整,，一定要干凈平整,。進行拋光時，拋光液的流量不能小,，要使拋光液在拋光布上充分飽和,，一般拋光時間在一小時以上，期間---機,，因為停機,，化學反應(yīng)仍在進行，而機械摩擦停止,，造成腐蝕速率大于機械摩擦速率,，而使晶片表面出現(xiàn)小坑點。設(shè)備的清洗非常重要,，清洗是否干凈將直接影響磨,、拋晶片的。每次研磨或拋光后,，都要認真將設(shè)備里外清洗干凈,。