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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置:
生長室,,激光脈沖沉積裝置公司,,進樣室可選水平,、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選,,激光脈沖沉積裝置,,激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓rheed,,工作氣壓可達100pa可預(yù)留法蘭,,用于leed,k-cell,, e-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器,,激光脈沖沉積裝置價格,離子源,,掩膜系統(tǒng)等,。
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脈沖激光沉積原理:在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊,利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來,,再沉積在不同的襯底上,,從而形成薄膜。
脈沖激光沉積也被稱為脈沖激光燒蝕pulsed laser ablation,pla,,是一種利用激光對物體進行轟擊,,然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段,。
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