同方迪一分享瓷介電容的容量標(biāo)識(shí)的幾種方法

一,、直接標(biāo)識(shí)：如其電解電容,，容量47uf,，電容耐壓25v。

二,、使用單位nf：如上圖的滌綸電容,，標(biāo)稱4n7，即4.7nf,，轉(zhuǎn)換為pf即為4700pf,。還有的例如：10n，即0.01uf;33n,，即0.03---,。后面的63是指電容耐壓63v。

三,、數(shù)學(xué)計(jì)數(shù)法：如瓷介電容,，上海直插瓷片電容30kv，標(biāo)值104,，容量就是：10x10000pf=0.1uf.如果標(biāo)值473,，即為47x1000pf=0.047uf。后面的4,、3,，都表示10的多少次方。又如：332=33x100pf=3300pf,。電容的使用,，都應(yīng)該在規(guī)定的耐壓下工作。現(xiàn)在的好多不高的產(chǎn)品,，就因?yàn)槭褂昧四蛪翰蛔愕碾娙荻�引起故障常見電容爆裂�?/dv>

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對電參數(shù)惡化的影響,。空氣中溫度過高,， 會(huì)使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降,， 對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水分會(huì)滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降,。因此,，高溫，高濕環(huán)境對瓷片電容的損壞影響較大,。

二:銀離子的遷移,。無機(jī)介質(zhì)電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作,，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解,。產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電極反應(yīng),，銀離子遷移不僅發(fā)生在無機(jī)介質(zhì)表面,，還擴(kuò)散到無機(jī)介質(zhì)內(nèi)部，壓直插瓷片電容30kv,，引起漏電流增大,，---時(shí)會(huì)使兩個(gè)銀電極之間完全短路，導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿,。

三:有的高壓瓷片電容,，在運(yùn)用測試操作時(shí)，電容器投入時(shí)的電流過大,，無任何無電壓保護(hù)措施,，也無串聯(lián)電抗器，使電容器過熱,，絕緣降低或損壞,，如果操作頻繁，也會(huì)影響陶瓷電容損壞,，甚至炸掉,。

四:從單顆瓷片電容分析，壓直插瓷片電容30kv,，電容碰到了---的電流,，導(dǎo)致內(nèi)部材料-，散熱不及時(shí),，造成熱擊穿損壞,。