led---危機(jī)迫在眉睫

我國led發(fā)明和上游比重小

　　我國led主要集中于中下游領(lǐng)域,，中游封裝,、下游應(yīng)用環(huán)節(jié)的占申請總量的64%。在關(guān)系到產(chǎn)業(yè)長遠(yuǎn)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),，仍缺乏---,。

　　從led的演變進(jìn)程看，我國led的申請進(jìn)程落后于日本,、美國,，錯(cuò)過了階段的技術(shù)前期研發(fā)階段和第2個(gè)階段的技術(shù)培育孵化階段，而直接進(jìn)入了技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用階段,。其所產(chǎn)生的影響是我國led發(fā)展的不均衡。從類型上看,，陜西鏤空發(fā)光字,，我國led以實(shí)用新型及外觀設(shè)計(jì)為主，發(fā)明型占比較低,，其中國內(nèi)led實(shí)用型占比為59%,，外觀設(shè)計(jì)占比為15%，而led發(fā)明占比僅為26%,。

　　我國led主要集中于中下游領(lǐng)域,，中游封裝、下游應(yīng)用環(huán)節(jié)的占申請總量的64%,。其中l(wèi)ed應(yīng)用申請量,，約占總量的43%，led封裝占比約21%,，外延及芯片占比分別為18%和17%,，襯底占比約1%。外延方面,，國內(nèi)的阱以及緩沖層技術(shù)與國外存在量與質(zhì)的差距,。芯片方面，鏤空發(fā)光字訂做,，國內(nèi)的芯片外形技術(shù),、表面粗糙化技術(shù)和襯底剝離與鍵合技術(shù)欠缺,。封裝方面，我國技術(shù)發(fā)展迅速,，但基座材料和熒光材料與國外存在差距,。---是在關(guān)系到產(chǎn)業(yè)長遠(yuǎn)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，我國仍缺乏---,，如藍(lán)光led激發(fā)熒光粉發(fā)白光技術(shù),、圖形襯底技術(shù)、led芯片垂直結(jié)構(gòu)技術(shù),、倒裝封裝技術(shù)以及脈沖寬度調(diào)制(pmw)電源驅(qū)動(dòng)技術(shù)等,。