1、分辨率:區(qū)別硅片表---鄰圖形特性的能力,，一般用關(guān)鍵尺寸來衡量 分辨率,。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好,。
2,、對比度:指光刻膠從---區(qū)到非---區(qū)過渡的陡度。對比度越好,，形成圖形的側(cè)壁越陡峭,，分辨率越好。
3,、敏感度:光刻膠上產(chǎn)生一 個---的圖形所需一 定波長的小能量值(或小---量),。單位:焦/平方厘米或mj/cm2.光刻膠
的敏感性對于波長更短的深紫外光(duv)、極深紫外光(euv)等尤為重要,。
4,、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的
粘滯性,，就有越均勻的光刻膠厚度,。
5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強度,。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形,。
6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性,，在后續(xù)的刻蝕i序中保護襯底表面,。
7、表面張力:液體---表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力,。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,，玻璃光刻膠多少錢，使光刻膠具有---的流動性
8,、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉,、低溫,、不透光的盒中。 同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境,。
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主要用于半導體圖形化工藝,，是半導體制造過程中的重要步驟,。光刻工藝利用化學反應(yīng)原理把事先制備在掩模上的圖形轉(zhuǎn)印到晶圓，完成工藝的設(shè)備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產(chǎn)的大頭,。
在目前比較主流的半導體制造工藝中,，一般需要40 步以上獨立的光刻步驟，貫穿了半導體制造的整個流程,，玻璃光刻膠廠家,，光刻工藝的---程度決定了半導體制造工藝的---程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的---設(shè)備,。目前,，asml 的nxe3400b售價在一億歐元以上，---一架f35 -,。
按---波長,，光刻膠可分為紫外300~450 nm光刻膠、深紫外160~280 nm光刻膠,、極紫外euv,，13.5 nm光刻膠、電子束光刻膠,、離子束光刻膠,、x射線光刻膠等。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同,，玻璃光刻膠,，光刻膠又可以分為印刷電路板pcb用光刻膠、液晶顯示lcd用光刻膠,、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠,。pcb光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)---水平,。
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樹脂( resin/polymer),，光刻膠中不同材料的粘合劑,，給與光刻膠的機械與化學性質(zhì)( 如粘附性、膠膜厚度,、熱穩(wěn)定性等);感光劑,，感光劑對光能發(fā)生光化學反應(yīng);溶劑(solvent),，保持光刻膠的液體狀態(tài)，使之具有---的流動性;添加劑( additive ),，用以改變光刻膠的某些特性,，如---光刻膠發(fā)生反射而添加染色劑等。負性光刻膠,。樹脂是聚異戊二烯,，一-種天然的橡膠;溶劑是;感光劑是一種經(jīng)過---后釋放出氮氣的光敏劑，產(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián),。從而變得不溶于顯影液,。負性光刻膠在---區(qū)由溶劑引起泡漲;---時光刻膠容易與氮氣反應(yīng)而抑制交聯(lián)。
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