興之揚蝕刻電視304不銹鋼網小編來給大家講解什么是干法蝕刻：

電漿干法蝕刻主要應用于集成電路制程中線路圖案的定義,，通常需搭配光阻的使用及微影技術,，其中包括了1)氮化硅(nitride)蝕刻：應用于定義主動區(qū)；2)復晶硅化物/復晶硅(polycide/poly)蝕刻：應用于定義閘極寬度/長度,；3)復晶硅(poly)蝕刻：應用于定義復晶硅電容及負載用之復晶硅,；4)間隙壁(spacer)蝕刻：應用于定義ldd寬度；5)接觸窗(contact)及引洞(via)蝕刻：應用于定義接觸窗及引洞之尺寸大�,�,；6)鎢回蝕刻(etchback)：應用于鎢栓塞(w-plug)之形成；7)涂布玻璃(sog)回蝕刻：應用于平坦化制程,；8)金屬蝕刻：應用于定義金屬線寬及線長,；9)接腳(bondingpad)蝕刻等。

影響干法蝕刻特性好壞的因素包括了：1)干法蝕刻系統(tǒng)的型態(tài),；2)干法蝕刻的參數,；3)前制程相關參數，如光阻,、待蝕刻薄膜之沉積參數條件,、待蝕刻薄膜下層薄膜的型態(tài)及表面的平整度等。

興之揚蝕刻不銹鋼網片小編來向大家說說電漿干法蝕刻制程參數：

電漿蝕刻制程參數一般包括了射頻(rf)功率,、壓力,、氣體種類及流量,、蝕刻溫度及腔體的設計等因素，而這些因素的綜合結果將直接影響蝕刻的結果,。

射頻(rf)功率是用來產生電漿及提供離子能量的來源，因此功率的改變將影響電漿中離子的密度及撞擊能量而改變蝕刻的結果,。壓力也會影響離子的密度及撞擊能量,，另外也會改變化學聚合的能力；蝕刻反應物滯留在腔體內的時間正比于壓力的大小,，一般說來,，延長反應物滯留的時間將會提高化學蝕刻的機率并且提高聚合速率。氣體流量的大小會影響反應物滯留在腔體內的時間,；增加氣體流量將加速氣體的分布并可提供更多未反應的蝕刻反應物,，因此可降低負載效應(loadingeffect)；改變氣體流量也會影響蝕刻速率,。原則上溫度會影響化學反速率及反應物的吸附系數(adsorptioncoefficient),，提高芯片溫度將使得聚合物的沉積速率降低，導致側壁的保護減低,，但表面在蝕刻后會較為干凈,；增加腔體的溫度可減少聚合物沉積于管壁的機率，以提升蝕刻制程的再現性,。晶圓背部-氣循環(huán)流動可控制蝕刻時晶圓的溫度與溫度的均勻性,，以避免光阻燒焦或蝕刻輪廓變形。其它尚須考慮的因素還有腔體的材質,，一般常見的材質包含鋁,、陶瓷、石英,、硅及石墨等,，不同的腔體材質會產生不同的反應產物并會改變蝕刻的直流偏壓。