振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:回收硅片,,電池片,,初級多晶硅,銀漿布,,單晶硅,,多晶硅,,太陽能電池,,光伏組件,,太陽能電池板,客戶撤退,,降級,,庫存,el,,---測試,,二手,舊,,工程,,拆卸,路燈,,拆解電站,拆卸,,膠合板,,層壓板,無邊界晶體硅,,多晶硅,,單晶硅,實驗板,,---償還,,返工,光伏模塊回收等,。
刻蝕工藝
刻蝕目的
將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈,,避免 pn 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。
刻蝕原理
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng),, 采用高頻輝光放電反應(yīng),,使反應(yīng)氣體---成活性粒子,如原子或各種游離基,,這些活性粒子擴散到硅片邊緣,,在那里與硅進行反應(yīng),形成揮發(fā)性生成物四---硅而被去除,。
化學(xué)公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工藝流程
預(yù)抽,,主抽,送氣,,輝光,,抽空,清洗,,預(yù)抽,,主抽 ,充氣,。
影響因素
1. 射頻功率
射頻功率過高:等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷,,導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)耗盡層造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加,。
射頻功率太低:會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻,,從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足,導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降,。
2. 時間
刻蝕時間過長:刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大,,時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū),從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合,。
刻蝕時間過短:刻蝕不充分,,沒有把邊緣鱗去干凈, pn 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低,。
4. 壓力
壓力越大,,氣體含量越少,參與反應(yīng)的氣體也越多,,刻蝕也越充份,。
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晶體硅電池片檢驗方法:
2 外觀目測:
a. 與表面成 35 °角日常光照情況下觀察表面顏色,,目視顏色均勻 一致 ,,無明顯色差花斑、水痕,、手印,、劃痕及污垢。
b. 隱裂:電池片有隱裂,、 肉眼可見的裂紋,, 均視為不合格
c. 背面鋁背電極完整,表面平整 ,、 邊界清晰 、 無明顯凸起的“鋁珠 ,, 脫落 3mm 2 / 個 ≤ 5mm 2 ,、鼓泡累計面積≤5mm
2 , 背面鋁膜與基體材料的附著強度? 背膜燒結(jié):用層壓機 130 — 145 度,超過 10 分鐘,。冷卻到室溫后,,用刀片隔開 1cm 的寬度,,用大于 50n 的拉力,鉛膜不隨 eva 脫落,,則認為合格,。
d. 受光面柵線:主柵線均勻完整,柵線印刷清晰,、對稱,;主柵線與細柵線處允許≤ 1mm ;細柵線允許≤ 2mm 的脫落,;柵線印刷偏離,,明顯兩次印刷的返工片視為不合格;斷點的總數(shù)≤ 60mm,。
e. 崩邊:每一邊不超過兩處崩邊,,崩邊間距*** 30mm 、---≤ 0.5 片子厚度,、面積≤ mm 2
f . 電池邊緣缺角面積不超過 1mm 2 ,,數(shù)量不超過 2 個。缺角:一邊有一處崩邊,,面積≤5mm 2 ,,一邊由兩處崩邊、面積≤3mm 2
g. 電池的崩邊,、鈍形缺口等外形缺損的尺寸要求:長度不大于 1.5mm ,,由邊緣向中心的---不大于 0.5mm ,同一片電池上正面出現(xiàn)此類外形缺損數(shù)量不超過兩處,。同時不允許電池上 v 形缺口,。
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擴散工藝
擴散目的
在來料硅片 p 型硅片的基礎(chǔ)上擴散一層 n 型磷源,,形成 pn 結(jié)。
擴散原理
pocl 3 在高溫下 >; 600 ℃ 分解生成五--- pcl 5 和五氧化二磷 p 2 o 5 ,, 其反應(yīng)式如下 :
5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5
生成的 p 2 o 5 在擴散溫度下與硅反應(yīng) ,, 生成二氧化硅 sio 2 和磷原子 , 其反應(yīng)式如下 :
2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2 + 4ppocl 3
熱分解時,,如果沒有外來的氧 o 2 參與其分解是不充分的,,生成的 pcl5 是不易分解的,并且對硅有腐蝕作用,,破壞硅片的表面狀態(tài),。但在有外來 o2 存在的情況下, pcl 5 會進一步分解成 p2o 5 并放出--- cl 2 其反應(yīng)式如下:
4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2
生成的 p 2 o 5 又進一步與硅作用,,生成 sio 2 和磷原子,,由此可見,在磷擴散時,,為了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 對硅片表面的腐蝕作用,,必須在通氮氣的同時通入一定流量的氧氣。就這樣 pocl 3 分解產(chǎn)生的 p 2 o 5 淀積在硅片表面,, p 2o 5 與硅反應(yīng)生成 sio 2 和磷原子,,并在硅片表面形成一層磷 - 硅玻璃,然后磷原子再向硅中進行擴散,。
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