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mos管的金屬氧化物是什么,？
mos管結(jié)構(gòu)示意圖中標(biāo)出的金屬氧化物膜位于上邊部位，25n120場(chǎng)效應(yīng)管,，這個(gè)膜是絕緣的,，用來電氣隔離，90n10場(chǎng)效應(yīng)管,，使得柵極只能形成電場(chǎng),，不能通過直流電，因此是用電壓控制的,。在直流電氣上,，9n90場(chǎng)效應(yīng)管，柵極和源漏極是斷路,。不難理解,，場(chǎng)效應(yīng)管，這個(gè)膜越�,。弘妶�(chǎng)作用越好,、坎壓越小、相同柵極電壓時(shí)導(dǎo)通能力越強(qiáng),。壞處是：越容易擊穿,、工藝制作難度越大而價(jià)格越貴,。
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asemi品牌 25n120 mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管 插件封裝 mosfet
型號(hào)：25n120
封裝：to-247/3p
漏極電流vds：25a
漏源電壓id：1200v
工作溫度：-55℃~150℃
種類：場(chǎng)效應(yīng)晶體管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般為n溝道和p溝道,，詳情參考右側(cè)圖片(p溝道耗盡型mos管)。而p溝道常見的為低壓mos管,。編輯：l
asemi品牌 to-220 mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管 100n10
型號(hào)：100n10
封裝：to-220ab
漏極電流vds：100a
漏源電壓id：100v
工作溫度：-55℃~150℃
封裝類型：插件
種類：場(chǎng)效應(yīng)晶體管/mosfet
品牌：asemi
場(chǎng)效應(yīng)管通過投影p溝道m(xù)os管符號(hào)一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以fet管的gate電流非常小,。
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