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mos管mosfet/場效應(yīng)管的主要參數(shù)：
6. 導(dǎo)通電阻ron
·導(dǎo)通電阻ron說明了vds對id的影響 ,，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
·在飽和區(qū),，id幾乎不隨vds改變,，6n65場效應(yīng)管,，ron的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由于在數(shù)字電路中 ,，mos管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在vds=0的狀態(tài)下,，所以這時的導(dǎo)通電阻ron可用---的ron來近似
·對一般的mos管而言，ron的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
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asemi品牌 mos場效應(yīng)管 9n90 插件封裝類型 9a 900v
型號：9n90
封裝：to-220ab
漏極電流vds：9a
漏源電壓id：900v
工作溫度：-55℃~150℃
種類：n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
品牌：asemi
mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體,。
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絕緣型場效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用sio2絕緣層隔離,，因此而得名,。又因柵---金屬鋁，故又稱為mos管,。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場效應(yīng)管大得多,，6n60場效應(yīng)管，可達(dá)1010ω以上,，還因?yàn)樗冉Y(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好,、集成化時溫度簡單，場效應(yīng)管,，而廣泛應(yīng)用于-和---規(guī)模集成電路中,。
與結(jié)型場效應(yīng)管相同，mos管工作原理動畫示意圖也有n溝道和p溝道兩類,，但每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,，因此mos管的四種類型為：
n溝道增強(qiáng)型管、n溝道耗盡型管,、
p溝道增強(qiáng)型管,、p溝道耗盡型管。
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