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首先在器件和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中,，應(yīng)充分體現(xiàn)靜電防護(hù)的思想,，在器件內(nèi)部設(shè)置靜電防護(hù)元件(esd protection device),，盡量使用對(duì)靜電不敏感的器件以及對(duì)所使用的靜電放電敏感(esds, esd-sensitive)器件提供適當(dāng)?shù)妮斎氡Ｗo(hù)，使其更合理地避免esd的傷害,。mos工藝是集成電路制造的---技術(shù), 以金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管為基本構(gòu)造元件,。由于mos器件中場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間是一層亞微米級(jí)的絕緣柵氧化層,，故其輸入阻抗通常大于1000m ,，并且具有5pf左右的輸入電容，極易受到靜電的損害,。因此,，在mos器件的輸入級(jí)中均設(shè)置了電阻-二極管防護(hù)網(wǎng)絡(luò)，串聯(lián)電阻能夠---尖峰電流, 二極管則能---瞬間的尖峰電壓,。器件內(nèi)常見的防護(hù)元件還有：電容,、雙極晶體管、可控硅整流器scr,，見圖1等, esd發(fā)生時(shí),，它們?cè)谑鼙Ｗo(hù)器件之前迅速作出反應(yīng),，將esd的能量吸收、釋放，使被保護(hù)器件所受沖擊大為降低,。正常情況下,，防護(hù)元件在其一次崩潰(first breakdown)區(qū)內(nèi)工作,，不會(huì)受到esd損傷,，一旦外加電壓或電流過量(overstress)，進(jìn)入二次崩潰(secondary breakdown)區(qū)的防護(hù)元件將受到不可逆轉(zhuǎn)的損害,，失去對(duì)器件的保護(hù)作用,。

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加快靜電電荷的逸散：包括使用緩沖器，在輸送液體物料時(shí),，使帶電的液體通過管道進(jìn)入儲(chǔ)罐之前,，---入緩沖器內(nèi)“緩沖”一段時(shí)間，使大部分電荷在這段時(shí)間里逸散,，從而---減少了帶入儲(chǔ)罐的電荷,；注入儲(chǔ)罐的液體應(yīng)靜置一段時(shí)間后才能進(jìn)行檢尺、采樣等工作,，以使蓄積的電荷向器壁,、液面集中并泄入大地；消除雜質(zhì),，石油產(chǎn)品在生產(chǎn)輸送中要避免水,、空氣及其他雜質(zhì)與油品之間以及不同油品之間相互混合,。