igbt測(cè)試裝置技術(shù)要求1設(shè)備功能igbt模塊檢測(cè)裝置是用于igbt的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試,。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的,,系統(tǒng)為獨(dú)立式單元,,封閉式結(jié)構(gòu),,具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃�,。igbt模塊檢測(cè)裝置是用于igbt的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試,在igbt的檢測(cè)中,,便攜式igbt測(cè)試儀-,,采用大電流脈沖對(duì)igbt進(jìn)行vce飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖,,采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法,,便攜式igbt測(cè)試儀批發(fā),解決igbt進(jìn)行vce飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)問(wèn)題,。transistor)及triac可控硅,、scr晶閘管、gto等各型閘流體與二極管(diode)等,,其工作電流與電壓乘積若大于1kw以上,,均可屬于大功率的范圍。
三,、華科智源igbt測(cè)試儀系統(tǒng)特征:a:測(cè)量多種igbt,、mos管 b:脈沖電流1200a,,電壓5kv,便攜式igbt測(cè)試儀,,測(cè)試范圍廣,;c:脈沖寬度 50us~300usd:vce測(cè)量精度2mve:vce測(cè)量范圍>10vf:電腦圖形顯示界面g:智能保護(hù)被測(cè)量器件h:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能i:mos igbt內(nèi)部二極管壓降j : 一次測(cè)試igbt全部靜態(tài)參數(shù)k: 生成測(cè)試曲線iv曲線直觀看到igbt特性,可以做失效分析以及故障定位l:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比,,觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),,或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不一致時(shí),,應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行,。
9尖峰抑制電容用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)程中的igbt器件電壓過(guò)沖。?電容容量200μf?分布電感小于10nh?脈沖電流2ka ?工作溫度室溫~40℃?工作濕度<70% 11動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管用于防止測(cè)試過(guò)程中的過(guò)電壓,。?反向電壓 8000v(2只串聯(lián))?-di/dt大于2000a/μs?通態(tài)電流 1200a?壓降小于1v?浪涌電流大于20ka?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs?工作溫度室溫~40℃?工作濕度<70%12安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管?反向電壓12kv(3只串聯(lián))?-di/dt大于2000a/μs?通態(tài)電流1200a?壓降小于1v?浪涌電流大于20ka?系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的,,系統(tǒng)為獨(dú)立式單元,封閉式結(jié)構(gòu),,具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃�,。反向恢�?fù)時(shí)間小于2μs?工作溫度室溫~40℃?工作濕度<70%
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