真空手套箱用磁控濺射離子鍍技術為黃銅電鍍亮鉻的衛(wèi)生潔具鍍制zrn膜。真空手套箱設備采用基材為---的非平衡磁控濺射靶和中頻電源,，以及脈沖偏壓電源,。

(1)抽真空

5 x 10-3～6.6 x 10-13pa本底真空。真空手套箱設備加熱溫度應在真空室器壁放氣后又回升到100～150℃,。

(2)轟擊清洗

真空度：通---真空度保持在2～3pa,。轟擊電壓：800～1000v，脈沖占空比20%,。轟擊時間：10min,。

(3)手套箱

沉積---底層

真空度：通入氣，真空度保持在s x l0-1pa。靶電壓：400—550v,，靶功率15 n 30w/crrr2,。脈沖偏壓：450～500v，占空比20 %,。手套箱時間：5～10min,。

鍍zrn膜

真空度：通入氮氣，真空度保持在(3～5) x 10-1pa,。靶電壓：400～550v,，靶電流隨靶的面積增大而加大。脈沖偏壓：150～200v,，占空比80 %,。手套箱時間：20～30min。

由于真空手套箱磁控濺射技術中金屬離化率低,，真空鍍膜工廠,，不容易進行反應沉積，獲得化合物膜層的工藝范圍比較窄,。真空手套箱設備可采用氣體離子源將反應氣體離化,，擴大反應沉積的工藝范圍。也可以采用柱狀弧源產生的弧等離子體作為離化源,，柱狀弧源還是輔助手套箱源,。