青島賽爾微電子有限公司為您提供lpcvd 氧化爐 擴(kuò)散爐 改造 翻-成本高-,。按照客戶要求 ,，結(jié)合機(jī)臺(tái)狀況，給出切實(shí)可行的方案,， 達(dá)到客戶功能預(yù)期并節(jié)省成本,。翻新后的機(jī)臺(tái)可達(dá)到原廠機(jī)臺(tái)性能,，可以長期穩(wěn)定的用于生產(chǎn)。
擴(kuò)散爐翻新技術(shù)指標(biāo)
1.1工作溫度：200～1300℃
1.2適用硅片尺寸：4～6英寸
1.3裝片數(shù)量：正片100～300片/管
1.4爐體恒溫區(qū)：300～1000mm
1.5恒溫區(qū)精度：＞800℃/±0.5℃ ,，＜800℃/±1℃
1.6單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
1.7zui大可控升溫速度：15℃/min
1.8zui---溫速度：5℃/min900～1300℃
1.9氣源系統(tǒng)：進(jìn)口配件,、自動(dòng)軌道焊接
1.10控制系統(tǒng)：整機(jī)控制系統(tǒng)采用工業(yè)控制計(jì)算機(jī)windows 系統(tǒng)，中文操作界面,，方便簡潔
1.11 氧化工藝：片內(nèi)≤±2%,，片間≤±3%，批間≤±3%,，
p預(yù)擴(kuò)：方塊電阻 6~20,，片內(nèi)片間≤±2.5%，片間≤±4%
可選配置：
1.1工藝管數(shù)量：1～4管
1.2工作臺(tái)：有凈化/無凈化
1.3進(jìn)出舟模式：手動(dòng)送片/自動(dòng)送片懸臂模式、軟著陸模式
1.4適用工藝：氧化干氧,、濕氧,、擴(kuò)散磷擴(kuò)、硼擴(kuò),、合金氮?dú)�,、氮�(dú)洹⑼嘶鸬?br> 1.5是否配置氫氧合成外點(diǎn)火爐
1.6是否配置氫氧合成硬件保護(hù)裝置
1.7是否配置氫氣燃燒裝置
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