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sic碳化硅襯底片主要分為導電型和半絕緣型,，導電型sic碳化硅襯底以n型襯底為主,，主要用于外延gan基led等光電子器件、sic碳化硅基電力電子器件等,，半絕緣型sic碳化硅襯底主要用于外延制造gan高功率射頻器件。
半絕緣型碳化硅襯底片生產(chǎn)廠商 射頻器件
sic碳化硅晶體結構決定了其---的物理，相對于si和gaas,，sic碳化硅擁有更為---的物理性質；禁帶寬度大，接近于si的3倍,，---器件在高溫工作下的長期---,；擊穿場強高，是si的1o倍,，---器件耐壓容量,，提高器件的耐壓值；飽和電子速率大,，是si的2倍,，增加器件的工作頻率和功率密度；熱導率高,，超過si的3倍,，增加了器件的散熱能力，實現(xiàn)設備的小型化等,。
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