技術(shù)指標(biāo)：
1. 真空室的---真空度達(dá)5*10-5pa,，漏率為關(guān)機(jī)12小時(shí)≤5pa
2. 真空腔內(nèi)配有集約樣品臺(tái)一套,，杭州鈣鈦礦鍍膜設(shè)備，配有大擋板和16套小擋板,，手動(dòng)
控制,，開關(guān)方便快捷，每個(gè)小擋板擋兩塊30*30mm樣片
3. 蒸發(fā)源共14套,，其中10套有機(jī)蒸發(fā)源,，4套金屬蒸發(fā)源�,？販�
精度±1℃,，可以實(shí)現(xiàn)溫度或電流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)蒸鍍速率穩(wěn)定的功能
4. 金屬蒸發(fā)源配4臺(tái)一帶一1000w可控硅調(diào)壓電源，通過銅電極
連接,，兩端可夾鎢絞絲或者鉭舟,，鎢絞絲可以蒸鍍絲狀或者大顆粒
材料，鉭舟可以蒸鍍粉末狀材料,，蒸發(fā)源采用陶瓷全密封,，避免交
叉污染
5. 有機(jī)蒸發(fā)源配10臺(tái)一帶一溫控電源,，有機(jī)源溫度為室溫-500度，
可以根據(jù)材料及用戶需求自行調(diào)節(jié)
6. 樣品臺(tái)具有旋轉(zhuǎn),、升降功能,，可在線更換掩膜板一次，可同時(shí)裝
載30mm*30mm樣品16塊,。本產(chǎn)品每兩個(gè)樣品都配有小擋板,，
并且通過plc控制步進(jìn)電機(jī)對(duì)每個(gè)小擋板做16個(gè)定位，使機(jī)械手
推拉小擋板,，樣品與蒸發(fā)源之間的間距為200-300mm
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主要用途：
用于納米級(jí)單層及多層金屬膜、 半導(dǎo)體膜等新材料的制備,。廣泛應(yīng)用 于大專院校的薄膜材料科研,。
系統(tǒng)組成:
由真空室、蒸發(fā)源,、樣品臺(tái),、 真空測(cè)量、膜厚測(cè)試,、電控系統(tǒng)組成,。
技術(shù)指標(biāo)：
---真空度5.0×10-5pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7pal/s,； 恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘可達(dá)6.6×10 pa
真空室：d形真空室,，尺寸350× 380mm
樣品臺(tái)：尺寸為4英寸厚度3mm的平面樣品；
電極：數(shù)量：4支水冷結(jié)構(gòu),；直徑φ20㎜
樣品基片:,，基片在鍍膜位置實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)�,；臏囟葟氖覝刂�600℃
4套擋板系統(tǒng)：基片擋板與源擋板,；靶擋板共有3套，鈣鈦礦鍍膜設(shè)備,， 樣品擋板１套
石英晶振膜厚控制儀：膜厚測(cè)量范圍0-999999?
可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng),。
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通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,，石家莊鈣鈦礦鍍膜設(shè)備,，稱為熱蒸發(fā)鍍膜，熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是歷史悠久的pvd鍍膜技術(shù)之一,。熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)一般主要用于蒸發(fā)cd,、pb,、ag、al,、cu,、cr、au,、ni等材料,。
在高真空下，采用電阻式蒸發(fā)原理,，利用大電流在蒸發(fā)舟上加熱所蒸鍍材料,，使其在高溫下熔化蒸發(fā)，從而在樣品上沉積所需要的薄膜,。通過調(diào)節(jié)所加電流的大小,，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率。通常適合熔點(diǎn)低于1500oc的金屬薄膜的制備,。
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