1. 確認萬用表工作正常，量程置于200mv,。
2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連,。
3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為p 型,，刻蝕合格,。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為p型。
4.如果經(jīng)過檢驗,，任何一個邊沿沒有刻蝕合格,，則這一批硅片需要重新裝片，進行刻蝕,。
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化學氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀80年代起,，nasa 開始嘗試使用金屬有機化合物化學氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復合噴管,，并獲得了成功，這時化學氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破,。
nasa 使用了c15h21iro6作為制取銥涂層的材料,，進口化學氣相沉積設(shè)備廠家，并利用 c15h21iro6的熱分解反應(yīng)進行沉積,。銥的沉積速度很快,，可以達到3~20μm/h。 沉積厚度也達到了50μm,，進口化學氣相沉積設(shè)備,，c15h21iro6的制取效率達 70%以上。
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等離子體內(nèi)的化學反應(yīng)
由于輝光放電過程中對反應(yīng)氣體的激勵主要是電子碰撞，進口化學氣相沉積設(shè)備多少錢,，因此等離子體內(nèi)的基元反應(yīng)多種多樣的,，而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復雜，這些都給pecvd技術(shù)制膜過程的機理研究增加---度,。迄今為止,，許多重要的反應(yīng)體系都是通過實驗使工藝參數(shù)較優(yōu)化，進口化學氣相沉積設(shè)備,，從而獲得具有理想特性的薄膜,。對基于pecvd技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言,，如果能夠深刻揭示其沉積機理，便可以在---材料優(yōu)良物性的前提下,，大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率,。
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