以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容,,沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)脈沖激光沉積,,歡迎新老客戶蒞臨,。
---真空度:≤6.7×10 pa
恢復(fù)真空時間:從1×10 pa抽至5×10 pa≤20min
系統(tǒng)漏率:6. 7×10-7pa.l/s;
真空室:ф450球型真空室 ,,
基片尺寸:可放置4″可實現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉(zhuǎn),,轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調(diào)�,! �
二維掃描機(jī)械平臺,,脈沖激光沉積裝置,執(zhí)行兩自由度掃描,,脈沖激光沉積裝置廠家,控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶,、靶自轉(zhuǎn),、樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫,、激光束掃,,
流量控制器1路
烘烤溫度:150℃數(shù)顯自動熱偶控溫高溫爐盤,數(shù)顯自動熱偶控溫可加熱到800℃
沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn),、銷售脈沖激光沉積,,我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。
1.靶: 數(shù)量6個,大小1-2英寸,,被激光照射時可自動旋轉(zhuǎn),,靶的選擇可通過步進(jìn)電機(jī)控制;
2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片,大小2英寸,,加熱溫度可達(dá)1200攝氏度,,溫度差<3%,加熱時基板可旋轉(zhuǎn),,工作環(huán)境的壓力可達(dá)300mtorr;
3.基板加熱電源,,高到1200度;
4.真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,,本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質(zhì),,內(nèi)表面電解拋光,脈沖激光沉積裝置多少錢,,本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;
7.閥門: 采用真空擋板閥;
8.真空檢測:真空計;
9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;
10.薄膜生長監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分rheed;
11.監(jiān)控系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定,,基板和靶的旋轉(zhuǎn),靶的更換等;
12.各種電流導(dǎo)入及測溫端子;
13.其它各種構(gòu)造:各種真空位移臺,,磁力傳輸桿,,真空法蘭,真空密封墊圈,,真空用波紋管等;
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pld的系統(tǒng)設(shè)備簡單,,相反,它的原理卻是非常復(fù)雜的物理現(xiàn)象,。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時,,激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用,亦包括等離子羽狀物的形成,,其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移,,及膜的生成過程。所以,,pld一般可以分為以下四個階段:
1. 激光輻射與靶的相互作用
2. 熔化物質(zhì)的動態(tài)
3. 熔化物質(zhì)在基片的沉積
4. 薄膜在基片表面的成核nucleation與生成,。
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