直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊---觸的陰極,，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，真空磁控濺射鍍膜設(shè)備,，不適于絕緣材料,。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí)，表面的離子電荷無(wú)法中和,，這將導(dǎo)致靶面電位升高,，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小,，甚至不能電離,，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁�,，真空磁控濺射鍍膜設(shè)備公司,，須用射頻濺射法rf。
濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子,；某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘對(duì)于金屬是5-10 ev，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來,，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián),；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能對(duì)于金屬是1-6ev，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空,。
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用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜,、金屬膜,、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備,。廣泛應(yīng)用于大專院校,、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備�,！ �
主要由真空室系統(tǒng)濺射室,、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng),、真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng),、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng),、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成,。
技術(shù)指標(biāo)： ---真空度6.7×10-5pa,，系統(tǒng)漏率：1×10-7pal/s,； 恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘可達(dá)6.6×10 pa短時(shí)間暴露 ---并充干燥氮?dú)夂箝_始抽氣
鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜； 樣品基片: 負(fù)偏壓 -200v
樣品轉(zhuǎn)盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控,，在真空下可輪流任意靶位互換工作,。樣品轉(zhuǎn)盤由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，計(jì)算機(jī)控制其水平傳遞,；
可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng),，真空磁控濺射鍍膜設(shè)備報(bào)價(jià)，計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的功能：對(duì)位移和樣品公轉(zhuǎn)速度---間的變化做實(shí)時(shí)采集,，對(duì)位移誤差進(jìn)行計(jì)算,，真空磁控濺射鍍膜設(shè)備價(jià)格，以曲線和數(shù)值顯示,。樣品公轉(zhuǎn)速度對(duì)位移曲線可在線性和對(duì)數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換,，可實(shí)現(xiàn)換位鍍膜。
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自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)選配項(xiàng)：
rf,、dc濺射
熱蒸鍍能力
rf或dc偏壓1000v
樣品臺(tái)可加熱到700°c
膜厚監(jiān)測(cè)儀
基片的rf射頻等離子清洗
應(yīng)用：
晶圓片,、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質(zhì)涂覆
光學(xué)以及ito涂覆
帶高溫樣品臺(tái)和脈沖dc電源的硬涂覆
帶rf射頻等離子放電的反應(yīng)濺射
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