1.1. silicon characterization
peakview支持silicon characterization工作,包括test key建立,、去嵌建模以及自動去嵌,。silicon data 與 simulation data比對,并提供準(zhǔn)確的simulation data,,以完成建模,;以及temperature effects characterization
1.2. peakview
t-coil 是雙端口橋式-t 網(wǎng)絡(luò)的一種特例。 它有兩個互相耦合的電感兩個電感常常對稱
設(shè)計(jì),, 和一個橋接電容組成,,設(shè)計(jì)中還要考慮兩個電感的耦合因子、 線上插損等因素,。
當(dāng)某個負(fù)載加到 t-coil 電路時(shí),, 從節(jié)點(diǎn) 1 或 2 處看到的阻抗比較特殊;以及這兩個節(jié)點(diǎn)
到節(jié)點(diǎn) 3一般連接負(fù)載電容的的傳輸函數(shù)vout/vin特性也比較有研究價(jià)值,。
以一個共源級 mos 為例來講,,其輸出的負(fù)載電容為 cl。當(dāng)高頻時(shí),, cl 容抗很小,, m1 的
小信號漏流被 cl 基本拉到地, 導(dǎo)致輸出電壓 vout 降低,,傳輸線 em軟件,, 增益在要求寬頻范圍內(nèi)平坦度較
差, 導(dǎo)致較低的工作帶寬,。
解決思路一: 可以給負(fù)載電阻 rd 串聯(lián)一個 ldinductive peaking 方案,, 如下圖b,
電感的感抗會隨頻率增加,,那么總的串聯(lián)阻抗rd+jwl會隨頻率增加,,這樣會在頻率提升
過程中,迫使大量電流流經(jīng) cl,,實(shí)現(xiàn)增益寬度一致性增益大小會有所降低,,是一種提升
工作帶寬方法。
解決思路二: 可以在輸出的信號路徑中插入一個 t-coil,, 如下圖c,,下來可以分析在
這種情況下,傳遞函數(shù)vout/vin是個啥情況,。
nemd電磁場設(shè)計(jì): 使用peakview自帶或者用戶定制的螺線電感,、巴倫、交指電容,,變壓器,,傳輸線等片上無源器件模型進(jìn)行sim,用戶可以根據(jù)需求來綜合設(shè)計(jì),、sim,、優(yōu)化、以及生成cadence芯片版圖
nlem版圖電磁場分析: 基于cadence/laker/gds版圖布局布線環(huán)境或通用版圖文件的三維電磁sim,。結(jié)果可以同步到cadence,,與spectre/ spice電路器進(jìn)行聯(lián)合電路sim。
nhfd:
對芯片級射頻電路關(guān)鍵路徑以及無源器件進(jìn)行電磁參數(shù)提取與仿sim,,可提取高頻寄生電感和互感,,生成完整rlck或全波參數(shù)模型,用于與spectre/spice電路器進(jìn)行聯(lián)合電路sim
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